在真空条件下，利用气体放电使气体离化，在气体离子轰击作用的同时，把蒸发物或其反应物蒸发在基片上。离子辅助沉积实际上是在电子束蒸发的基础上，引入离子轰击，达到增加蒸发膜料动能的效果，相比电子束和热蒸发，膜层具有更高的密度。此外，气体离子束可以用于清洁和刻蚀基底表面，从而增强膜层的牢固度。
通过引入离子辅助，膜层具有更高的牢固度，并带来更好的膜层机械性能，更好的环境可靠性以及更低的膜层散射。
但离子辅助沉积并不适用于所有的材料，例如MgF2等在沉积过程可能会被分解。
相比EB工艺，综合考虑了成本，光谱稳定性和可靠性等因素。
相比IBS工艺，具有更高的散射和吸收损耗。
