靶面发出的二次电子，在相互垂直的电场力和磁场力的联合作用下，沿着跑道跨越磁力线做旋轮线形的跳动，并以这种形式沿着跑道转圈，增加与气体原子碰撞的机会。克服了二极、三极溅射的缺点。
能量较低的二次电子循环运动，每个电子使原子电离的机会增加，只有在电子的能量耗尽以后才能脱离靶表面，且落在阳极。基片温升小，损伤小的原因。
高密度的等离子体被电磁场束缚在靶面附近，不与基片接触。
提高电离效率，工作压力可降低到10-1～10-2Pa数量级；从而减少工作气体对被溅射原子的散射作用，提高沉积速率，增加膜层牢固度。
进行磁控溅射时，电子与气体原子的碰撞几率高，因此气体离化率大大增加。
低温溅射：对被溅射的靶材料进行直接冷却；利用磁场在减少电子能量的同时，再辅以电子捕集器以排除电子对基板的轰击。
高速溅射：尽量加大投入到靶上的功率；提高溅射沉积的功率效率；减少溅射原子或分子向靶的逆扩散。
